数字集成电路 电路、系统与设计 第2版
(美)拉贝艾,(美)钱德卡桑,(美)尼克里克著, (美)Jan M. Rabaey, (美)Anantha Chandrakasan, (美)Borivoje Nikolic著, 周润德等译, 拉巴伊, 钱德拉卡山, 尼科利奇, 周润德, (Mei)Jan M. Rabaey, (mei)Anantha Chandrakasan, (mei)Borivoje Nikolic zhu, zhou run de deng yi
2 (p1): 第一部分 基本单元
2 (p1-1): 第1章 引论
2 (p1-1-1): 1.1历史回顾
4 (p1-1-2): 1.2数字集成电路设计中的问题
11 (p1-1-3): 1.3数字设计的质量评价
22 (p1-1-4): 1.4小结
22 (p1-1-5): 1.5进一步探讨
26 (p1-2): 第2章 制造工艺
26 (p1-2-1): 2.1引言
26 (p1-2-2): 2.2 CMOS集成电路的制造
34 (p1-2-3): 2.3设计规则——设计者和工艺工程师之间的桥梁
37 (p1-2-4): 2.4集成电路封装
44 (p1-2-5): 2.5综述:工艺技术的发展趋势
47 (p1-2-6): 2.6小结
47 (p1-2-7): 2.7进一步探讨
48 (p1-3): 设计方法插入说明A ——IC版图
52 (p1-4): 第3章 器件
52 (p1-4-1): 3.1引言
52 (p1-4-2): 3.2二极管
62 (p1-4-3): 3.3 MOS (FET)晶体管
87 (p1-4-4): 3.4关于工艺偏差
88 (p1-4-5): 3.5综述:工艺尺寸缩小
93 (p1-4-6): 3.6小结
93 (p1-4-7): 3.7进一步探讨
95 (p1-5): 设计方法插入说明B——电路模拟
98 (p1-6): 第4章 导线
98 (p1-6-1): 4.1引言
98 (p1-6-2): 4.2简介
100 (p1-6-3): 4.3互连参数——电容、电阻和电感
109 (p1-6-4): 4.4导线模型
124 (p1-6-5): 4.5导线的SPICE模型
127 (p1-6-6): 4.6小结
127 (p1-6-7): 4.7进一步探讨
130 (p2): 第二部分 电路设计
130 (p2-1): 第5章CMOS反相器
130 (p2-1-1): 5.1引言
130 (p2-1-2): 5.2静态CMOS反相器——直观综述
133 (p2-1-3): 5.3 CMOS反相器稳定性的评估——静态特性
140 (p2-1-4): 5.4 CMOS反相器的性能——动态特性
155 (p2-1-5): 5.5功耗、能量和能量延时
167 (p2-1-6): 5.6综述:工艺尺寸缩小及其对反相器衡量指标的影响
169 (p2-1-7): 5.7小结
170 (p2-1-8): 5.8进一步探讨
171 (p2-2): 第6章CMOS组合逻辑门的设计
171 (p2-2-1): 6.1引言
171 (p2-2-2): 6.2静态CMOS设计
207 (p2-2-3): 6.3动态CMOS设计
221 (p2-2-4): 6.4设计综述
224 (p2-2-5): 6.5小结
224 (p2-2-6): 6.6进一步探讨
226 (p2-3): 设计方法插入说明C——如何模拟复杂的逻辑电路
233 (p2-4): 设计方法插入说明D——复合门的版图技术
237 (p2-5): 第7章 时序逻辑电路设计
237 (p2-5-1): 7.1引言
240 (p2-5-2): 7.2静态锁存器和寄存器
250 (p2-5-3): 7.3动态锁存器和寄存器
258 (p2-5-4): 7.4其他寄存器类型
262 (p2-5-5): 7.5流水线:优化时序电路的一种方法
266 (p2-5-6): 7.6非双稳时序电路
271 (p2-5-7): 7.7综述:时钟策略的选择
272 (p2-5-8): 7.8小结
272 (p2-5-9): 7.9进一步探讨
276 (p3): 第三部分 系统设计
276 (p3-1): 第8章 数字IC的实现策略
276 (p3-1-1): 8.1引言
279 (p3-1-2): 8.2从定制到半定制以及结构化阵列的设计方法
280 (p3-1-3): 8.3定制电路设计
281 (p3-1-4): 8.4以单元为基础的设计方法
291 (p3-1-5): 8.5以阵列为基础的实现方法
308 (p3-1-6): 8.6综述:未来的实现平台
310 (p3-1-7): 8.7小结
311 (p3-1-8): 8.8进一步探讨
313 (p3-2): 设计方法插入说明E——逻辑单元和时序单元的特性描述
319 (p3-3): 设计方法插入说明F——设计综合
325 (p3-4): 第9章 互连问题
325 (p3-4-1): 9.1引言
325 (p3-4-2): 9.2电容寄生效应
336 (p3-4-3): 9.3电阻寄生效应
342 (p3-4-4): 9.4电感寄生效应
350 (p3-4-5): 9.5高级互连技术
356 (p3-4-6):…
2 (p1-1): 第1章 引论
2 (p1-1-1): 1.1历史回顾
4 (p1-1-2): 1.2数字集成电路设计中的问题
11 (p1-1-3): 1.3数字设计的质量评价
22 (p1-1-4): 1.4小结
22 (p1-1-5): 1.5进一步探讨
26 (p1-2): 第2章 制造工艺
26 (p1-2-1): 2.1引言
26 (p1-2-2): 2.2 CMOS集成电路的制造
34 (p1-2-3): 2.3设计规则——设计者和工艺工程师之间的桥梁
37 (p1-2-4): 2.4集成电路封装
44 (p1-2-5): 2.5综述:工艺技术的发展趋势
47 (p1-2-6): 2.6小结
47 (p1-2-7): 2.7进一步探讨
48 (p1-3): 设计方法插入说明A ——IC版图
52 (p1-4): 第3章 器件
52 (p1-4-1): 3.1引言
52 (p1-4-2): 3.2二极管
62 (p1-4-3): 3.3 MOS (FET)晶体管
87 (p1-4-4): 3.4关于工艺偏差
88 (p1-4-5): 3.5综述:工艺尺寸缩小
93 (p1-4-6): 3.6小结
93 (p1-4-7): 3.7进一步探讨
95 (p1-5): 设计方法插入说明B——电路模拟
98 (p1-6): 第4章 导线
98 (p1-6-1): 4.1引言
98 (p1-6-2): 4.2简介
100 (p1-6-3): 4.3互连参数——电容、电阻和电感
109 (p1-6-4): 4.4导线模型
124 (p1-6-5): 4.5导线的SPICE模型
127 (p1-6-6): 4.6小结
127 (p1-6-7): 4.7进一步探讨
130 (p2): 第二部分 电路设计
130 (p2-1): 第5章CMOS反相器
130 (p2-1-1): 5.1引言
130 (p2-1-2): 5.2静态CMOS反相器——直观综述
133 (p2-1-3): 5.3 CMOS反相器稳定性的评估——静态特性
140 (p2-1-4): 5.4 CMOS反相器的性能——动态特性
155 (p2-1-5): 5.5功耗、能量和能量延时
167 (p2-1-6): 5.6综述:工艺尺寸缩小及其对反相器衡量指标的影响
169 (p2-1-7): 5.7小结
170 (p2-1-8): 5.8进一步探讨
171 (p2-2): 第6章CMOS组合逻辑门的设计
171 (p2-2-1): 6.1引言
171 (p2-2-2): 6.2静态CMOS设计
207 (p2-2-3): 6.3动态CMOS设计
221 (p2-2-4): 6.4设计综述
224 (p2-2-5): 6.5小结
224 (p2-2-6): 6.6进一步探讨
226 (p2-3): 设计方法插入说明C——如何模拟复杂的逻辑电路
233 (p2-4): 设计方法插入说明D——复合门的版图技术
237 (p2-5): 第7章 时序逻辑电路设计
237 (p2-5-1): 7.1引言
240 (p2-5-2): 7.2静态锁存器和寄存器
250 (p2-5-3): 7.3动态锁存器和寄存器
258 (p2-5-4): 7.4其他寄存器类型
262 (p2-5-5): 7.5流水线:优化时序电路的一种方法
266 (p2-5-6): 7.6非双稳时序电路
271 (p2-5-7): 7.7综述:时钟策略的选择
272 (p2-5-8): 7.8小结
272 (p2-5-9): 7.9进一步探讨
276 (p3): 第三部分 系统设计
276 (p3-1): 第8章 数字IC的实现策略
276 (p3-1-1): 8.1引言
279 (p3-1-2): 8.2从定制到半定制以及结构化阵列的设计方法
280 (p3-1-3): 8.3定制电路设计
281 (p3-1-4): 8.4以单元为基础的设计方法
291 (p3-1-5): 8.5以阵列为基础的实现方法
308 (p3-1-6): 8.6综述:未来的实现平台
310 (p3-1-7): 8.7小结
311 (p3-1-8): 8.8进一步探讨
313 (p3-2): 设计方法插入说明E——逻辑单元和时序单元的特性描述
319 (p3-3): 设计方法插入说明F——设计综合
325 (p3-4): 第9章 互连问题
325 (p3-4-1): 9.1引言
325 (p3-4-2): 9.2电容寄生效应
336 (p3-4-3): 9.3电阻寄生效应
342 (p3-4-4): 9.4电感寄生效应
350 (p3-4-5): 9.5高级互连技术
356 (p3-4-6):…
Рік:
2010
Видання:
2010
Видавництво:
北京:电子工业出版社
Мова:
Chinese
ISBN 10:
712111982X
ISBN 13:
9787121119828
Файл:
PDF, 188.92 MB
IPFS:
,
Chinese, 2010